Prevencia falšovania a defektov
Vizuálna a balíková kontrola
Overenie elektrickej výkonnosti
Servisný email:
[email protected]
>
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
1000416 Ks Nové Originálne Na Sklade
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Požiadať o cenovú ponuku
(Loď zajtra)
*Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
5.0 / 5.0
- (245 Hodnotenia)
TK160F10N1L,LQ
Prehľad produktu
12891217
Číslo dielu
TK160F10N1L,LQ-DG
TK160F10N1L,LQ
Popis
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMInventár
1000416 Ks Nové Originálne Na Sklade
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
Nákup a dopyt
Záruka a vrátenie
Ako objednať
Doručenie a odoslanie
Príslušnosť k záruke kvality
365 - Dňová záruka kvality - Každá súčasť je plne podporená.
90-dňová lehota na vrátenie alebo výmenu - Defektné časti? Bez starostí.
Obmedzené zásoby, objednajte teraz - Získajte spoľahlivé diely bez starostí.
Celosvetová doprava a bezpečné balenie
Doručenie do 3-5 pracovných dní po celom svete
100 % ESD antistatické balenie
Sledovanie v reálnom čase pre každú objednávku
Bezpečné a flexibilné platby
Kreditná karta, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, cezhraničný prevod (T/T) a viac
Všetky platby sú šifrované pre vašu bezpečnosť
TK160F10N1L,LQ Technické špecifikácie
Kategória
Tranzistory, FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
160A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10100 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SM(W)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
TK160F10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Stiahnuť TK160F10N1L,LQ Špecifikácia produktu (PDF)
HTML dátový list
TK160F10N1L,LQ-DG
Technické listy
TK160F10N1L
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
Alternatívne diely
ČÍSLO DIELU
VÝROBCA
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
ČÍSLO DIELU
CENA ZA JEDNOTKU
Typ substitútu
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
2188
TK160F10N1L,LXGQ-DG
0.8556
Parametric Equivalent
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
迅速な配送と丁寧な梱包に感心しました。安心して取引できます。
Dec 02, 2025
Their after-sales team is knowledgeable, friendly, and always ready to assist with any questions.
Dec 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are incredibly welcoming and eager to assist.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers reliable products that I can trust for my business needs.
Dec 02, 2025
The packing was minimal yet effective, emphasizing sustainability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Často kladené otázky (FAQ)
Aké sú kľúčové vlastnosti MOSFETu Toshiba TK160F10N1L?
Toshiba TK160F10N je vysokovýkonný N-kanálový MOSFET s napäťovým hodnotením 100 V a kontinuálnym odtokovým prúdom 160 A. Je navrhnutý na efektívne prepínanie a riadenie napájania v rôznych elektronických aplikáciách.
Je MOSFET Toshiba TK160F10N1L vhodný do prostredí s vysokou teplotou?
Áno, tento MOSFET dokáže pracovať pri teplotách až do 175 °C, čo ho robí vhodným pre náročné prenosové aplikácie, ktoré vyžadujú vysokú tepelnú odolnosť.
Môže byť Toshiba TK160F10N1L použitý s rôznymi napätiami riadiacej brány?
Áno, podporuje napätia riadiacej brány 6 V a 10 V, s maximálnym napätím Vgs ±20 V, čím poskytuje flexibilitu pre rôzne obvodové návrhy a riadiace schémy.</br>Okrem toho má nízke Rds(on) 2,4 mΩ pri 80 A a 10 V, čo pomáha minimalizovať straty pri prevádzke.
Aké sú možnosti balenia a typ mountingu tohto MOSFETu?
Toshiba TK160F10N1L je dodávaný v balení Tape & Reel (TR) v prípade TO-220SM (D2PAK), vhodnom pre povrchovú montáž a vysokovýkonné automatizované výrobné procesy.</br>Je opatrený RoHS3 zhodou, čo z neho robí ekologicky šetrný produkt vhodný pre modernú elektroniku.
Kde môžem zakúpiť MOSFET Toshiba TK160F10N1L a aká je podpora po predaji?
Tento MOSFET je dostupný skladom od autorizovaných distribútorov, s viac ako miliónom kusov pripravených na odoslanie. Po predaji môžete kontaktovať Toshibu alebo svojho dodávateľa pre záručnú a technickú podporu.
Príslušnosť k záruke kvality (QC)
DiGi zabezpečuje kvalitu a autenticitu každej elektronickej súčasti prostredníctvom profesionálnych kontrol a vzorkovania sérií, čím garantuje spoľahlivý zdroj, stabilný výkon a súlad s technickými špecifikáciami, pomáha zákazníkom znižovať riziká v dodávateľskom reťazci a spoľahlivo používať komponenty vo výrobe.
TK160F10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
